Модуль памяти OCZ OCZ3M10662GK

Модуль памяти OCZ OCZ3M10662GK

Главные особенности модуля памяти OCZ OCZ3M10662GK

DDR3 1066 (PC 8500) SODIMM 204-контактный, 2×1 Гб, буферизованная, 1.5 В, CL 8

Технические свойства модуля памяти OCZ OCZ3M10662GK

Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Объем: 2 модуля по 1 Гб
Тип памяти: DDR3
Тактовая частота: 1066 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Пропускная способность: 8500 Мб/с
CAS Latency (CL): 8
RAS to CAS Delay (tRCD): 8
Row Precharge Delay (tRP): 8
Activate to Precharge Delay (tRAS): 27
Напряжение питания: 1.5 В

Аналогичные записи: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.